发布网友 发布时间:2022-04-20 09:34
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热心网友 时间:2023-07-13 19:26
CMP全称为Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光,是半导体晶片表面加工的关键技术之一。单晶硅片制造过程和前半制程中需要多次用到化学机械抛光技术。与此前普遍使用的机械抛光相比,化学机械抛光能使硅片表面变得更加平坦,并且还具有加工成本低及加工方法简单的优势,因而成为目前最为普遍的半导体材料表面平整技术。由于目前集成电路元件普遍采用多层立体布线,集成电路制造的前道工艺环节需要进行多层循环。在此过程中,需要通过CMP工艺实现晶圆表面的平坦化。
CMP工艺由14nm持续向7nm、5nm、3nm先进制程推进过程中,CMP技术将不断趋于抛光头分区精细化、工艺控制智能化、清洗单元多能量组合化方向发展。集成电路制造是CMP设备应用的最主要的场景,重复使用在薄膜沉积后、光刻环节之前。cmp设备是化学机械平坦化设备;cmp是“Chemical Mechanical Polishing”的缩写,是半导体晶片表面加工的关键技术之一,也是目前最为普遍的半导体材料表面平坦化技术,其工作过程是抛光头将晶圆待抛光面压抵在粗糙的抛光垫上,借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、抛光垫摩擦等耦合实现全局平坦化。