关于TLC的种种说法辟谣,详细解释为什么TLC不如MLC
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发布时间：2022-04-24 02:08
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时间：2023-07-04 04:11
一，TLC的G版本是128G改的这个说法是错误的！
nand-marketing-name指的是闪存颗粒里面单片芯片的容量，128Gb也就是16GB，而caus是堆叠的芯片数量，因此nand-marketing-name/8*caus就是你的实际容量！
二，MLC有128/256/512MB的缓存
这个说法是错误的！有这个的原因是有人看到prep-function-buffer-size，首先这个东西的单位是kb！其次toshiba，sandisk，hynix的大小不同，只是厂商的设置而已，这是系统常规的实体缓存，并不是硬件，TLC是0是因为它要额外使用另一种大容量的缓存机制。
三，iPhone上用TLC的主要缺陷是寿命问题
这个说法是错误的！iPhone上的TLC主要问题在于：
1，随机读写速度太慢
比起大容量的连续写入，随机读写在日常使用中发生的更多，这就造成了系统更容易卡顿或者假死
2，使用了大容量的缓存以及推迟写入的模式
可以看到，当前台使用APP的时候，甚至会把400多M的文件缓存到内存中
这就出现了三个问题：
1）大量的从内存读写会比MLC更加费电，且影响前台速度
2）占用了400多M的内存，更容易造成程序自杀和重载
3）数据的安全性难以保证，如果在这400多M内存里面的数据没有写入闪存的时候手机重启了，数据就没了
四，从SSD用TLC的寿命比较长推测出手机的寿命
这是不科学的，虽然手机用TLC一年以内很难坏掉（一年以后都换手机了，也无须在意），但是这两个是不能类比的。
1，SSD上有一颗非常强大的主控芯片，有些主控芯片的封装面积已经跟A8一样大了，但是手机上没有，而主控芯片的处理能力一定程度决定了闪存的寿命。
2，iPhone的TLC使用了最新的工艺，NAND闪存工艺越小，寿命越短，这是由于NAND的寿命主要由二氧化硅绝缘层决定，而二氧化硅绝缘层的厚度是随着工艺不断变薄的。
3，手机是电池驱动的，因此无法提供静态写入平衡，也就是说，如果你G的用了60G，那么剩下的读写就是在4G的空间中反复进行。平时所说的G乘以多少次的寿命，要写入多少G的容量才行，在现实中是不存在的，除非你什么东西也不装。
五，有人说安卓很多手机也用TLC，这是不可能的，倒不是安卓厂商多么良心，而是安卓系统的I/O优化比较差，也没有厂家会为了上TLC去写专门的缓存机制（原生的AOSP显然不会用这种东西），如果用TLC，流畅度的下降会比iOS用TLC明显得多，因此目前来看安卓*进上TLC的可能性不大。
六，iPad Air 2是2G RAM，用作TLC的缓存很充裕，因此我认为iPad Air 2碰到TLC的话倒不用太过计较。
